SiC Power Device Wafer-Laser-Dicing-Maschine

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SiC Power Device Wafer-Laser-Dicing-Maschine
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Produktbeschreibung: Die SiC Power Device Wafer Laser Dicing Machine wurde speziell für die präzise Vereinzelung und das Dicing von Siliziumkarbid (SiC)-Wafern, Leistungshalbleiterbauelementen und modernen Keramiksubstraten entwickelt. Ausgestattet mit einem Hochleistungs-Faserlaser, ultra-Bewegungspräzision...
Produktklassifizierung
Laserschneidmaschine für Siliziumkarbid (SiC)-Keramik
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Beschreibung

Produktbeschreibung

 

Die SiC Power Device Wafer Laser Dicing Machine wurde speziell für die Präzisionsvereinzelung und das Dicing von Siliziumkarbid (SiC)-Wafern, Leistungshalbleiterbauelementen und modernen Keramiksubstraten entwickelt.

 

Ausgestattet mit einem Hochleistungs-Faserlaser, einer ultrapräzisen Bewegungsplattform und einem CCD-Vision-Ausrichtungssystem bietet die Maschine eine Hochgeschwindigkeits- und Präzisionsverarbeitung bei gleichzeitiger Minimierung von Absplitterungen, Mikrorissen und thermischen Schäden.

 

Das System eignet sich besonders für die Halbleiterfertigung der dritten-Generation, etwa von Leistungsmodulen und Halbleiterverpackungssubstraten.

 

Ausstattungsmerkmale

 

 

Hochleistungs-Faserlasertechnologie

  • Fortschrittliche Faserlaserquelle-in Industriequalität
  • Hervorragende Strahlqualität und Energiestabilität
  • Wartungsfreier-Betrieb
  • Hohe elektro-optische Umwandlungseffizienz
  • Niedrige Betriebskosten
 

Ultra-Präzisionsbewegungsplattform

  • Maschinenbasis aus Naturgranit für überragende Steifigkeit
  • Die integrierte Portalstruktur sorgt für Vibrationsfestigkeit
  • Betrieb mit hoher-Geschwindigkeit und hoher-Stabilität
 

Linearmotor-Antriebssystem

  • Importiertes Linearmotorsystem
  • 0,5 μm hoher -Linear-Encoder
  • Vollständig geschlossene-CNC-Steuerung
  • Schnelle Reaktion und überlegene Positionierungsgenauigkeit
 

CCD-Vision-Ausrichtung

  • Automatische Wafer-Ausrichtung
  • Treuhänderische Anerkennung
  • Hochpräzise Positionierung für Halbleiteranwendungen
 

Laserwürfel mit geringem-Schaden

  • Geringe Schnittfugenbreite
  • Minimale Abplatzer
  • Reduzierte thermische Einflusszone
    Verbesserte Matrizenausbeute

 

Anwendungen

 

Halbleiterindustrie der dritten-Generation

SiC-Leistungsgerätewafer
SiC-MOSFET-Wafer
SiC-Schottky-Dioden
SiC-Leistungsmodule
SiC-Verpackungssubstrate
 

 

Halbleiterverpackungsindustrie

Keramiksubstrate
DBC-Substrate
AMB-Substrate
AlN-Substrate
Halbleiterträger

 

Neue Energiewirtschaft

Leistungsmodule für Elektrofahrzeuge

Ladesysteme

Energiespeichersysteme

Photovoltaik-Wechselrichter

 

Industrieelektronik

Hochleistungshalbleiterkomponenten.-

Intelligente Fertigungsausrüstung

Industrielle Antriebe

Schienenverkehrselektronik

 

Technische Spezifikationen

 

ArtikelParameter

Lasertyp

 

Faserlaser

 

Laserwellenlänge

 

1060–1080 nm

 

Laserleistung

 

1000 W (kundenspezifisch)

 

Verarbeitungsbereich

 

600 × 600 mm

 

Schnittstärke

 

Hängt vom Material ab

 

Wiederholgenauigkeit

 

±5 μm

 

Verarbeitungsgeschwindigkeit

 

0–3000 mm/min

 

Maximale Fahrgeschwindigkeit

 

60 m/min

 

Maximale Beschleunigung

 

1.2 G

 

Genauigkeit des Arbeitstisches

 

Kleiner oder gleich 0,015 mm

 

Antriebssystem

 

Importierter Linearmotor + 0.5 μm Encoder

 

Maschinenleistung

 

Kleiner oder gleich 7 kW

 

Maschinengewicht

 

Etwa 1800 kg

 

Maschinenabmessungen

 

1800 × 1470 × 1890 mm

 

 

Vorteile für das SiC-Wafer-Dicing

 

 

Hohe Präzision

Unterstützt das präzise Zerteilen von SiC-Wafern und Halbleitersubstraten mit ausgezeichneter Dimensionskonsistenz.

 

Geringe Absplitterung

Durch die optimierte Laserbearbeitung werden Kantenfehler minimiert und die Formqualität verbessert.

 

Hoher Ertrag

Reduziert Mikrorisse und thermische Belastung und trägt so zur Verbesserung der Endausbeute des Geräts bei.

 

 

Flexible Abwicklung

Geeignet für gerades Schneiden, Wafer-Vereinzelung, Nuten, Bohren und kundenspezifische Halbleiterverarbeitung.
 

 

Bereit für die Automatisierung

Kompatibel mit Halbleiterproduktionslinien und kundenspezifischen Automatisierungslösungen.

Typische Verarbeitungsproben

 

  • SiC-Leistungsgerätewafer
  • SiC-MOSFET-Wafer
  • DBC-Keramiksubstrate
  • AMB-Keramiksubstrate
  • AlN-Keramiksubstrate
  • Halbleiterverpackungsträger
  • Fortschrittliche Keramikkomponenten

Beispielanwendungen

8mm thick silicon SI3N4 ceramic
8 mm dicke Silizium-SI3N4-Keramik
Solar photovoltaic ceramic suction cup
Solar-Photovoltaik-Keramik-Saugnapf

 

Drilling micropores in Si₃N₄ ceramics
Bohren von Mikroporen in Si₃N₄-Keramik
Semiconductor equipment ceramic suction cups

Keramiksaugnäpfe für Halbleitergeräte

 

Sehen Sie sich unser Video zum Laserschneiden an.

After-Verkaufs- und Supportdienste

 

Kostenlose Probenahme von SiC-Wafern

Kostenlose Bearbeitung von 4-Zoll-, 6-Zoll- und 8-Zoll-SiC-Wafern. Beinhaltet Querschnittsprüfungen, elektrische Tests und vollständige Prozesslösungen für die Massenproduktion.
 

 

Vorinstalliertes Halbleiterprozesspaket

Verfügt über ausgereifte „Stealth Dicing“-Parameter für alle SiC-Wafer. Keine interne-Abstimmung erforderlich-stabile Produktion vom ersten Tag an.

 

Premium-Garantie und lebenslanger Support

Ein{{0}Jahr Vollgarantie-auf die Maschine sowie kostenlose lebenslange Updates, Prozessoptimierung und technische Beratung.

 

Installation und Schulung vor Ort-

Ingenieure kümmern sich um die Installation und Inbetriebnahme. Die Schulung der Bediener gewährleistet einen schnellen und reibungslosen Produktionsstart.

 

Schneller technischer Support rund um die Uhr

Remote-Fehlerbehebung rund um die Uhr und Notfall-{2}Vor-Ort-Service zur Vermeidung von Produktionsausfällen.

 

Maßgeschneiderte Automatisierungsintegration

Optional vollautomatische Be-/Entladesysteme für die unbemannte Massenproduktion.

 

Wie können Sie mit uns zusammenarbeiten?

Für Querschnittsberichte, Massenproduktionsvideos, präzise Angebote oder maßgeschneiderte Produktionspläne kontaktieren Sie unser Team für eine kostenlose Einzelberatung zu hochwertigen SiC-Verarbeitungslösungen.

 

Unsere Adresse

1. Etage, Gebäude B, Phoenix Park, Nr. 8, Optics Valley Science and Technology Park, Nr. 18, Gaoxin 6th Road, Bezirk Jiangxia, Stadt Wuhan

 

Telefonnummer

+8618602711568

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Häufig gestellte Fragen

F: Welche Materialien kann Ihre Maschine verarbeiten?

A: Kompatibel mit fortschrittlicher Keramik, LTCC-Grünband, Glas, Saphir, Quarz, PCB/FPC, Wafer, ultradünnem Metall, Lithiumbatteriefolie und anderen harten und spröden Präzisionsmaterialien. Optionale Laserquellen für Mehrzweckbearbeitung.

F: Was ist die minimale Bohrloch- und Positionierungsgenauigkeit?

A: Mindestens. Lochdurchmesser 0,05 mm, wiederholbare Positionierungsgenauigkeit +2um, geeignet für die Massenproduktion von 3C-, Halbleiter- und optischen Komponenten.

F: Welche Laserquellen sind auf Ihren Maschinen installiert? Handelt es sich um bekannte Markenlaser?

A: A: Wir konfigurieren Laser mit unterschiedlichen Wellenlängen und Ausgangsleistungen, abgestimmt auf Ihre Bearbeitungsanforderungen. Unsere Geräte sind standardmäßig mit selbstentwickelten Laserquellen ausgestattet;- Alternativ können auf Kundenwunsch auch spezielle Markenlaser installiert werden.

F: Ist eine unbeaufsichtigte Massenproduktion rund um die Uhr möglich?

A: A: Unsere Maschine verfügt über eine vollständig geschlossene CNC-Steuerung. Die optionale automatische Be-/Entladung und der Doppelarbeitstisch ermöglichen eine unbeaufsichtigte automatische Produktion rund um die Uhr. Regelmäßige kurze Ruhepausen nach längerem Dauerbetrieb tragen jedoch dazu bei, die Lebensdauer der Geräte effektiv zu verlängern.

 

 

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