Produktbeschreibung
DasLED-Wafer-LaserschneidemaschineDer Schwerpunkt liegt auf der internen Materialmodifikation ohne Oberflächenbeschädigung und der Erzielung einer Trennung durch Spaltung, wodurch die extremen Anforderungen der Technologie an Chipgröße, Präzision und Ausbeute erfüllt werden.
Einführung in die Ausrüstung
Dieses Modell nutzt Hochleistungs-Infrarot-Pikosekunden-Laserschneid- und CO2-Laser-Dicing-Prozesse. Es verfügt über einen selbst-entwickelten Glasschneidkopf und ein integriertes Schneid--und-Würfeldesign, wodurch manuelle Arbeitsschritte reduziert und die Produktionseffizienz verbessert werden. Ausgestattet mit einer Marmor-Präzisionsplattform und einer XY-getrennten geschlossenen Struktur ist das optische Pfadsystem stabil und gewährleistet eine qualitativ hochwertige optische Übertragung. Es wird hauptsächlich zum Schneiden transparenter und spröder Materialien wie Glas, Saphir und Quarz verwendet.
Vorteile
Keine Absplitterungen oder Mikrorisse:
Die Bearbeitung erfolgt im Inneren des Materials, wodurch die Funktionsbereiche des Chips auf beiden Seiten des Schnittpfads intakt bleiben und eine hervorragende mechanische Festigkeit und Lichtausbeute gewährleistet werden.
01
Ultra-hohe Präzision:
Die Pikosekunden-Laserpunktgröße erreicht das Mikrometer-Niveau, und die Schnittpfadbreite kann innerhalb weniger Mikrometer gesteuert werden, was die Materialausnutzung und Chip-Integration deutlich verbessert, besonders geeignet für Mini-/Mikro-LEDs mit extrem kleinem Pixelabstand.
02
Staubfrei-:
Durch den internen Modifizierungsprozess entstehen keine Glasscherben, wodurch Kontaminationen und daraus resultierende Reinigungsprobleme effektiv vermieden werden.
03
Unterstützt die Verarbeitung ultradünner Materialien:
Stabiles Schneiden ist selbst bei zerbrechlichem Glas mit einer Dicke von weniger als 100 µm und sogar bei einer Dicke von 50 µm möglich.
04
Hohe Ebenheit der Oberfläche:
Bietet eine ideale ebene Oberfläche für den anschließenden Stoffaustausch und andere Prozesse.
05
Technische Daten
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Artikel |
PParameter |
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IR-Pikosekundenlaserwellenlänge |
1064 nm |
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Pikosekunden-Laserleistung |
50 W (optional) |
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CO2-Laserwellenlänge |
10.6µm |
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CO2-Laserleistung |
120W |
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Max. Schnittbereich |
500*600mm |
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Schnittstärke |
Weniger als oder gleich 5 mm |
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Schnittpräzision |
Kleiner oder gleich 20 µm |
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Präzision der wiederholten Positionierung der X/Y-Achse |
±3µm |
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Verarbeitungsgeschwindigkeit |
0-500 mm/S |
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Minimaler Randkollaps |
Größer oder gleich 5 µm |
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CCD-visuelle Positionierungsgenauigkeit |
±5µm |
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Strombedarf |
AC220V, 50 Hz, kleiner oder gleich 6 kW |
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Umweltanforderungen |
Temperatur 20-26 Grad, Luftfeuchtigkeit etwa 50 % |
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Gesamtgewicht der gesamten Maschine |
Ungefähr 2500 kg |
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Außenmaße (L*B*H) |
1630×1480×1940mm (als Referenz) |
Anwendungsbranchen
1. Schneiden von Glas-/Saphirsubstraten für Mini-LED- und Micro-LED-Chips.
2. Vertikale Herstellungsprozesse für LED-Chips.
3. Schneiden dünner, spröder Halbleitermaterialien, die hohe Präzision und hohe Ausbeute erfordern.
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